IXTM67N10 - POWER MOSFET TO-3

Hersteller Teilenummer

IXTM67N10

Interne Teilenummer

AX-IXTM67N10

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

POWER MOSFET TO-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22701 Pieces

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Technische Daten für IXTM67N10

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTM67N10

Hersteller : IXYS

Beschreibung : POWER MOSFET TO-3

Serie : GigaMOS™

Teilestatus : Last Time Buy

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-204AE

Paket / fall : TO-204AE

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTM67N10

Datenblätter : IXTM67N10.pdf

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