DMN61D8LQ-13 - MOSFET N-CH 60V SOT23

Hersteller Teilenummer

DMN61D8LQ-13

Interne Teilenummer

AX-DMN61D8LQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V SOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2775110 Pieces

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Technische Daten für DMN61D8LQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN61D8LQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V SOT23

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 470mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 390mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN61D8LQ-13

Datenblätter : DMN61D8LQ-13.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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