STL10HN65M2 - POWER MOSFET

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Hersteller
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POWER MOSFET
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Technische Daten für STL10HN65M2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STL10HN65M2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : POWER MOSFET
Serie : *
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Supplier Device Package : -
Paket / fall : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STL10HN65M2

Datenblätter : STL10HN65M2.pdf

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