IDC08S60CEX1SA2 - DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IDC08S60CEX1SA2
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IDC08S60CEX1SA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 310pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IDC08S60CEX1SA2
Datenblätter : IDC08S60CEX1SA2.pdf
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