APTM60A11FT1G - MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM60A11FT1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM60A11FT1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10552pF @ 25V
Leistung max : 390W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM60A11FT1G
Datenblätter : APTM60A11FT1G.pdf
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