IRFHM8337TRPBF - MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

Hersteller Teilenummer

IRFHM8337TRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFHM8337TRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1676000 Pieces

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Technische Daten für IRFHM8337TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFHM8337TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFHM8337TRPBF

Datenblätter : IRFHM8337TRPBF.pdf

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