DMP1011UCB9-7 - MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
RoHS-Status
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Technische Daten für DMP1011UCB9-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMP1011UCB9-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
890mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-WLB1515-9
Paket / fall :
9-UFBGA, WLBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMP1011UCB9-7
Datenblätter :
DMP1011UCB9-7.pdf
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