IRFUC20PBF - MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Hersteller Teilenummer

IRFUC20PBF

Interne Teilenummer

AX-IRFUC20PBF

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

278330 Pieces

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Technische Daten für IRFUC20PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFUC20PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251AA

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRFUC

Dokumente für IRFUC20PBF

Datenblätter : IRFUC20PBF.pdf

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