SI3867DV-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
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MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
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Technische Daten für SI3867DV-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI3867DV-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI3867DV-T1-GE3
Datenblätter : SI3867DV-T1-GE3.pdf
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