DMT10H015LSS-13 - MOSFET N-CH 100V 8.3A

Hersteller Teilenummer

DMT10H015LSS-13

Interne Teilenummer

AX-DMT10H015LSS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 8.3A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

872525 Pieces

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Technische Daten für DMT10H015LSS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT10H015LSS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 8.3A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMT10H015LSS-13.pdf

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