IRF7779L2TRPBF - MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Hersteller Teilenummer

IRF7779L2TRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRF7779L2TRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

172845 Pieces

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Technische Daten für IRF7779L2TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF7779L2TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 375A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6660pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET L8

Paket / fall : DirectFET™ Isometric L8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF7 , IRF7779

Dokumente für IRF7779L2TRPBF

Datenblätter : IRF7779L2TRPBF.pdf

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