FESB16DTHE3/81 - DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
342260 Pieces
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Technische Daten für FESB16DTHE3/81
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FESB16DTHE3/81
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
975mV @ 16A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FESB16DTHE3/81
Datenblätter :
FESB16DTHE3/81.pdf
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