SUD50N02-09P-GE3 - MOSFET N-CH 20V 20A TO252

Hersteller Teilenummer

SUD50N02-09P-GE3

Interne Teilenummer

AX-SUD50N02-09P-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 20A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

23464 Pieces

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Technische Daten für SUD50N02-09P-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUD50N02-09P-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 20A TO252

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 39.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SUD50 , SUD50N02

Dokumente für SUD50N02-09P-GE3

Datenblätter : SUD50N02-09P-GE3.pdf

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