IRF5803D2PBF - MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

IRF5803D2PBF

Interne Teilenummer

AX-IRF5803D2PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

68220 Pieces

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Technische Daten für IRF5803D2PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF5803D2PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Serie : FETKY™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 112 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 25V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRF5803D2PBF.pdf

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