NSBC123JPDP6T5G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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Technische Daten für NSBC123JPDP6T5G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSBC123JPDP6T5G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 339mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-963
Supplier Device Package : SOT-963
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NSBC123JPDP6T5G
Datenblätter : NSBC123JPDP6T5G.pdf
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