IS42S32160F-75EBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40920 Pieces
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Technische Daten für IS42S32160F-75EBLI
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IS42S32160F-75EBLI
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM
Speichergröße :
512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz :
133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
6ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
90-TFBGA
Supplier Device Package :
90-TFBGA (8x13)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IS42S32160F-75EBLI
Datenblätter :
IS42S32160F-75EBLI.pdf
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