MJD112-1G - TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-MJD112-1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
687655 Pieces
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Technische Daten für MJD112-1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MJD112-1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
1000 @ 2A, 3V
Leistung max :
1.75W
Frequenz - Übergang :
25MHz
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package :
I-PAK
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MJD112-1G
Datenblätter :
MJD112-1G.pdf
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