BSC900N20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

Hersteller Teilenummer

BSC900N20NS3GATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSC900N20NS3GATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für BSC900N20NS3GATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC900N20NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSC900N20NS3GATMA1.pdf

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