BSC900N20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
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MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
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Technische Daten für BSC900N20NS3GATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSC900N20NS3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSC900N20NS3GATMA1
Datenblätter : BSC900N20NS3GATMA1.pdf
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