IPD65R660CFDAATMA1 - MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD65R660CFDAATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD65R660CFDAATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

523935 Pieces

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Technische Daten für IPD65R660CFDAATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD65R660CFDAATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH TO252-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 3.22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 214.55µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 543pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD65R , IPD65R660

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Datenblätter : IPD65R660CFDAATMA1.pdf

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