SI7900AEDN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
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MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
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Technische Daten für SI7900AEDN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI7900AEDN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI7900AEDN-T1-GE3
Datenblätter : SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
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