2SK3309(TE24L,Q) - MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17392 Pieces
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Technische Daten für 2SK3309(TE24L,Q)
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2SK3309(TE24L,Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
450V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
65W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-220SM
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2SK3309(TE24L,Q)
Datenblätter :
2SK3309(TE24L,Q).pdf
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