IPW65R190C7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
RoHS-Status
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Technische Daten für IPW65R190C7XKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPW65R190C7XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Serie : CoolMOS™ C7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 290µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 72W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPW65R190C7XKSA1
Datenblätter : IPW65R190C7XKSA1.pdf
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