IPD65R950CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
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Technische Daten für IPD65R950CFDBTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD65R950CFDBTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 36.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPD65 , IPD65R95

Dokumente für IPD65R950CFDBTMA1

Datenblätter : IPD65R950CFDBTMA1.pdf

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