MHE1003NR3 - RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-MHE1003NR3
Hersteller
Kurze Beschreibung
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5736 Pieces
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Technische Daten für MHE1003NR3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MHE1003NR3
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gewinnen : 14.1dB
Spannungs - Test : 28V
Aktuelle Bewertung : 10µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 50mA
Leistung : 53dBm
Spannung - bewertet : 65V
Paket / fall : OM-780-2
Supplier Device Package : OM-780-2
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MHE1003NR3
Datenblätter : MHE1003NR3.pdf
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