IXTQ110N055P - MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P

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MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
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Technische Daten für IXTQ110N055P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTQ110N055P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
Serie : PolarHT™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2210pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 390W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTQ110N055P

Datenblätter : IXTQ110N055P.pdf

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