N0413N-ZK-E1-AY - MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

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Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
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Technische Daten für N0413N-ZK-E1-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : N0413N-ZK-E1-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : N0413 , N0413N-

Dokumente für N0413N-ZK-E1-AY

Datenblätter : N0413N-ZK-E1-AY.pdf

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