QJD1210SA2 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

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MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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Technische Daten für QJD1210SA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : QJD1210SA2
Hersteller : Powerex Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 34mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8200pF @ 10V
Leistung max : 415W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : QJD , QJD12

Dokumente für QJD1210SA2

Datenblätter : QJD1210SA2.pdf

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