TPN11003NL,LQ - MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Hersteller Teilenummer

TPN11003NL,LQ

Interne Teilenummer

AX-TPN11003NL,LQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2067225 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.13572~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

AX Semiconductor hat TPN11003NL,LQ auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für TPN11003NL,LQ. Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für TPN11003NL,LQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN11003NL,LQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TPN1 , TPN110

Dokumente für TPN11003NL,LQ

Datenblätter : TPN11003NL,LQ.pdf

Verwandte Produkte für TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 18KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.