APTMC60TLM55CT3AG - MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
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Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
RoHS-Status
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Technische Daten für APTMC60TLM55CT3AG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTMC60TLM55CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Leistung max : 250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTMC60TLM55CT3AG
Datenblätter : APTMC60TLM55CT3AG.pdf
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