TBAS16,LM - DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TBAS16,LM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TBAS16,LM
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 215mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : -
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : -
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-3 Flat Leads
Supplier Device Package : SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TBAS16,LM

Datenblätter : TBAS16,LM.pdf

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