FQH8N100C - MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller Teilenummer

FQH8N100C

Interne Teilenummer

AX-FQH8N100C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

123375 Pieces

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Technische Daten für FQH8N100C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQH8N100C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.45 Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 225W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FQH8N100C

Datenblätter : FQH8N100C.pdf

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