FQT1N80TF-WS - MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Hersteller Teilenummer

FQT1N80TF-WS

Interne Teilenummer

AX-FQT1N80TF-WS

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FQT1N80TF-WS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQT1N80TF-WS

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223-3

Paket / fall : TO-261-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FQT1N80TF-WS

Datenblätter : FQT1N80TF-WS.pdf

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