A1N4007G-G - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für A1N4007G-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : A1N4007G-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package : DO-41
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 125°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für A1N4007G-G

Datenblätter : A1N4007G-G.pdf

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