DMN61D9U-7 - MOSFET N-CH 60V 0.38A

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MOSFET N-CH 60V 0.38A
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Technische Daten für DMN61D9U-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN61D9U-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.38A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 380mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28.5pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 370mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN61D9U-7

Datenblätter : DMN61D9U-7.pdf

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