IPD90N04S405ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
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Technische Daten für IPD90N04S405ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD90N04S405ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 86A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2960pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3-313
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD90N04S405ATMA1
Datenblätter : IPD90N04S405ATMA1.pdf
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