IRFB7530PBF - MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRFB7530PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRFB7530PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFB7530PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 411nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13703pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFB7530PBF
Datenblätter : IRFB7530PBF.pdf
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