IS43DR86400E-3DBLI-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IS43DR86400E-3DBLI-TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS43DR86400E-3DBLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 450ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TWBGA (8x10.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IS43DR86400E-3DBLI-TR
Datenblätter : IS43DR86400E-3DBLI-TR.pdf
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