IPW65R037C6FKSA1 - MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
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Technische Daten für IPW65R037C6FKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPW65R037C6FKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Serie : CoolMOS™ C6
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 83.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7240pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IPW65R037C6FKSA1

Datenblätter : IPW65R037C6FKSA1.pdf

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