SCT30N120 - MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Hersteller Teilenummer

SCT30N120

Interne Teilenummer

AX-SCT30N120

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

23264 Pieces

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~~USD 19.29~~

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Technische Daten für SCT30N120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SCT30N120

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA (Typ)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 270W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 200°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : HiP247™

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SCT30N120

Datenblätter : SCT30N120.pdf

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