AS4C128M8D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
18544 Pieces
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Technische Daten für AS4C128M8D1-6TIN
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AS4C128M8D1-6TIN
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR
Speichergröße :
1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
700ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package :
66-TSOP II
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AS4C128M8D1-6TIN
Datenblätter :
AS4C128M8D1-6TIN.pdf
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