BSS123E6327 - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Technische Daten für BSS123E6327

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSS123E6327
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.67nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 69pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BSS123E6327

Datenblätter : BSS123E6327.pdf

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