DMG3N60SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DMG3N60SJ3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
745220 Pieces
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Technische Daten für DMG3N60SJ3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMG3N60SJ3
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
354pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3, IPak, Short Leads
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMG3N60SJ3
Datenblätter :
DMG3N60SJ3.pdf
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