DMG3N60SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Hersteller Teilenummer

DMG3N60SJ3

Interne Teilenummer

AX-DMG3N60SJ3

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

745220 Pieces

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Technische Daten für DMG3N60SJ3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG3N60SJ3

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 354pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 41W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251

Paket / fall : TO-251-3, IPak, Short Leads

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG3N60SJ3

Datenblätter : DMG3N60SJ3.pdf

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