RUL035N02TR - MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6

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MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
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Technische Daten für RUL035N02TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RUL035N02TR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 320mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TUMT6
Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RUL035N02TR

Datenblätter : RUL035N02TR.pdf

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