APTGT50H60RT3G - POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
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Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTGT50H60RT3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTGT50H60RT3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Leistung max : 176W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Eingang : Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTGT50H60RT3G
Datenblätter : APTGT50H60RT3G.pdf
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