PMCM650VNE/S500Z - MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
RoHS-Status
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Technische Daten für PMCM650VNE/S500Z
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMCM650VNE/S500Z
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WLCSP (1.48x.98)
Paket / fall : 6-XFBGA, WLCSP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMCM650VNE/S500Z
Datenblätter : PMCM650VNE/S500Z.pdf
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