BSC010N04LSTATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller Teilenummer

BSC010N04LSTATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSC010N04LSTATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

DIFFERENTIATED MOSFETS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

347420 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für BSC010N04LSTATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC010N04LSTATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : DIFFERENTIATED MOSFETS

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9520pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8 FL

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSC01 , BSC010N0

Dokumente für BSC010N04LSTATMA1

Datenblätter : BSC010N04LSTATMA1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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