SQM110P06-8M9L_GE3 - MOSFET P-CH 60V 110A TO263
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SQM110P06-8M9L_GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SQM110P06-8M9L_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7450pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
230W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (D²Pak)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SQM110P06-8M9L_GE3
Datenblätter :
SQM110P06-8M9L_GE3.pdf
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