FCH060N80-F155 - MOSFET N-CH 800V 56A TO247
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
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Technische Daten für FCH060N80-F155
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCH060N80-F155
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 5.8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14685pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 Long Leads
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FCH060N80-F155
Datenblätter : FCH060N80-F155.pdf
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