BSB104N08NP3GXUSA1 - MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Hersteller Teilenummer

BSB104N08NP3GXUSA1

Interne Teilenummer

AX-BSB104N08NP3GXUSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

710105 Pieces

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Technische Daten für BSB104N08NP3GXUSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSB104N08NP3GXUSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / fall : 3-WDSON

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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