APTGTQ200A65T3G - POWER MODULE - IGBT
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTGTQ200A65T3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTGTQ200A65T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A
Leistung max : 483W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP3F
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTGTQ200A65T3G
Datenblätter : APTGTQ200A65T3G.pdf
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